PCB发展需求——高密度细线化

一、对铜箔的需求:

PCB全都向高密度细线化发展，HDI板尤为突出。在十年前IPC为HDI板下的定义是线宽/线距(L/S)是0.1mm/0.1mm及以下，现在行业内基本做到常规L/S为60μm，先进的L/S为40μm。日本的2013年版安装技术路线图数据是2014年HDI板常规L/S为50μm，先进的L/S为35μm，试制性的L/S为20μm。

PCB线路图形形成，传统的是铜箔基板上光致成像后化学蚀刻工艺(减成法)，减成法制作精细线路的限度最小约在30μm，并且需要用薄铜箔(9~12μm)基板。由于薄铜箔CCL价格高，及薄铜箔层压缺陷多，较多工厂产生18μm铜箔然后生产中采取蚀刻减薄铜层。这种做法工序多、厚度控制难、成本高，还是希望用薄铜箔为好。还有，PCB线路L/S小于20μm情况下，一般薄铜箔也难以胜任，需要用到超薄铜箔(3~5μm)基板和附于载体的超薄铜箔。

当前精细线路对铜箔要求除了厚度更薄外，同时需要铜箔表面低粗糙度。通常为提高铜箔与基材的结合力，确保导体抗剥强度，都采取铜箔层粗化处理，常规的铜箔粗糙度大于5μm。铜箔粗糙的凸峰嵌入基材是提高了抗剥离性，但在线路蚀刻时为控制导线精度不至过蚀刻，容易有嵌入基材凸峰残留，造成线路间短路或绝缘性下降，对精细线路尤为严重。因此需要低粗糙度(小于3μm)的铜箔，甚至更低粗糙度(1.5μm)的铜箔。

二、积层绝缘介质片的需求:

HDI板技术特点是积成法工艺(BuildingUpProcess)，常用的涂树脂铜箔(RCC)，或者半固化环氧玻璃布与铜箔层压的积层难以达到精细线路。现在趋于采用半加成法(SAP)或改进型半加工法(MSAP)，即采用绝缘介质膜积层，再化学镀铜形成铜导体层，因铜层极薄容易形成精细线路。

半加成法技术重点之一是积层介质材料，为符合高密度细线路要求对积层材料提出介质电气性、绝缘性、耐热性、结合力等要求，以及与HDI板工艺适应性。目前国际上的HDI积层介质材料主要是日本味之素公司的ABF/GX系列产品，以环氧树脂搭配不同固化剂，以添加无机粉末提高材料刚性及减少CTE，也有使用玻纤布增强刚性。另有日本積水化学公司的类似薄膜积层材料，台湾工研院也开发了此类材料。ABF材料也在不断改进发展，新一代积层材料特别要求表面低粗化度、低热膨胀率、低介质损耗及薄型刚强化等。

全球半导体封装中IC封装载板由有机基板取代陶瓷基板，倒装芯片(FC)封装载板的节距越来越小，现在典型的线宽/线距为15μm，接下来会更细。多层的载板性能重点要求低介电性、低热膨胀系数和高耐热性，在满足性能目标基础上追求低成本的基板。现在精细线路批量化生产基本都采用绝缘介质积层结合压薄铜箔的MSPA工艺。用SAP方法制造L/S小于10μm电路图形。

PCB达到更密更薄则HDI板技术从含芯板积层发展为无芯板任意层互连积层(Anylayer)，同样功能的任意层互连积层HDI板比含芯板积层HDI板面积和厚度可减少约25%。这些必须使用更薄的并保持电性能良好的介质层。线路板生产厂家

本站相关网页素材及相关资源均来源互联网，如有侵权请速告知，我们将在24小时内删除！